RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2749
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link