RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2744
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link