RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
59
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
59
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1775
1968
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link