RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1775
2994
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link