RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
43
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1775
2501
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link