RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1775
2907
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link