RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3279
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link