RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2949
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link