RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3143
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link