RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2267
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link