RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3657
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link