RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3104
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link