RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3519
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link