RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3531
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link