RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3377
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link