RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
43
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2680
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link