RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
43
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
1881
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link