RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2451
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link