RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3419
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link