RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
54
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2226
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link