RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3146
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link