RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2774
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link