RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3480
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link