RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
3587
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link