RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
37
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
3234
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link