RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
3806
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link