RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2690
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link