RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2613
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link