RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2562
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link