RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
73
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
1843
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link