RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
5.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.2
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1223
3866
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link