RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
3279
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link