RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
3736
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link