RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
3516
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link