RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
46
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
42
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2476
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link