RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2973
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link