RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2504
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link