RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2969
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link