RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2829
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link