RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2298
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link