RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2290
2173
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link