RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2290
2739
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link