RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
66
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
66
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2290
1699
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link