RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB vs Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2856
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GR7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link