RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3705
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link