RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
60
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
2511
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link