RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
2055
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link