RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3483
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link