RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2237
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link