RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
71
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
1866
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link